陶瓷電容器也稱為瓷介電容器或獨石電容器。顧名思義，瓷介電容器是一種材料為陶瓷的電容器。根據(jù)陶瓷材料的不同，可分為兩種：低頻陶瓷電容器(Ⅱ類陶瓷電容器)和高頻陶瓷電容器(Ⅰ類陶瓷電容器)。

什么是Ⅰ類陶瓷電容器

Ⅰ類陶瓷電容器原名高頻陶瓷電容器，由于其以TiO2為主要成分，非鐵電(順電)配方(介電常數(shù)小于150)，具有最穩(wěn)定的性能;或者通過添加少量其他(鐵電)氧化物，如CaTiO3或SrTiO3，形成“擴(kuò)展型”的溫度補(bǔ)償陶瓷，它可以顯示近似線性的溫度系數(shù)，介電常數(shù)增加到500。這兩種介質(zhì)具有低損耗、高絕緣電阻和良好的溫度特性。特別適用于振蕩器、諧振回路、高頻電路中的耦合電容和其他小損耗和穩(wěn)定電容量的電路中，或用于溫度補(bǔ)償。

Ⅰ類陶瓷電容器具有以下特性：

1·線性溫度系數(shù)：其電容隨溫度線性變化。

2·無電壓依賴性:其電容量不依賴于所施加的電壓。

3·無老化：由于制造過程中使用的材料是順電位材料，因此不會經(jīng)歷嚴(yán)重的老化過程。

4·無電力損耗：與Ⅱ類電容器相比，Ⅰ類電容器的電損耗要低得多。

5.用于高Q濾波器：鑒于上述特性，此類電容器通常用于諧振電路、PLL、振蕩器等應(yīng)用中。

6.高穩(wěn)定性和精確度：根據(jù)EIA RS-1988標(biāo)準(zhǔn)，他們將使用3位數(shù)符號表示所用的電介質(zhì)

　　根據(jù)美國電工協(xié)會(EIA)的標(biāo)準(zhǔn)，C0G或NP0和CC系列等型號的陶瓷介質(zhì)(溫度系數(shù)0±30PPM/℃)這種介質(zhì)非常穩(wěn)定，溫度系數(shù)非常低，沒有老化現(xiàn)象。損耗因數(shù)不受電壓、頻率、溫度和時間的影響。介電系數(shù)可達(dá)400，介電強(qiáng)度相對較高。該介質(zhì)非常適用于高頻(尤其是工業(yè)高頻感應(yīng)加熱的高頻功率振蕩、高頻無線傳輸和高頻功率電容器的其他應(yīng)用)、超高頻以及對電容和穩(wěn)定性要求嚴(yán)格的定時和振蕩電路的工作環(huán)境。這種介電容器的唯一缺點是電容不能很大(由于介電系數(shù)相對較小)。通常，1206表面貼裝的C0G介質(zhì)電容器的電容范圍為0.5PF至0.01μF。

什么是Ⅱ類陶瓷電容器

Ⅱ類陶瓷電容器過去稱為低頻陶瓷電容器，是指以鐵電陶瓷為介質(zhì)的電容器，因此也稱為鐵電陶瓷電容器。其電容量隨溫度非線性變化，并且其損耗較大。它通常用于電子設(shè)備中的旁路、耦合或其他對損耗和電容穩(wěn)定性要求較低的電路。Ⅱ類陶瓷電容器分為穩(wěn)定級和可用級。X5R和X7R屬于Ⅱ類陶瓷的穩(wěn)定級，而Y5V和Z5U屬于可用級。

Ⅱ類穩(wěn)定級陶瓷介質(zhì)材料，如美國電工協(xié)會(EIA)標(biāo)準(zhǔn)的X7R和X5R以及中國標(biāo)準(zhǔn)的CT系列(溫度系數(shù)為±15.0%)，這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化較大，不適用于定時和振蕩等溫度系數(shù)要求較高的場合，但由于它們的介電系數(shù)可以很大(高達(dá)1200)，因而電容量可以做得比較大，適用于對工作環(huán)境溫度(X7R:-55~+125℃)要求較高的耦合、旁路和濾波。通常，1206 SMD封裝的電容量可以達(dá)到10μF或更高;

Ⅱ類可用級陶瓷介電材料，如美國電工協(xié)會(EIA)標(biāo)準(zhǔn)的Z5U和Y5V以及中國標(biāo)準(zhǔn)CT系列的低等級產(chǎn)品型號(溫度系數(shù)為Z5U的+22%，-56%和Y5V的+22%，-82%)。這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化很大，不適用于定時和振蕩等對溫度系數(shù)要求較高的場合，但由于其介電系數(shù)較大(高達(dá)1000~12000)，因此，電容量可以做的比較大，這適用于耦合，旁通和過濾一般工作環(huán)境溫度要求(-25~+85℃)。通常，1206表面安裝的Z5U和Y5V介質(zhì)電容器甚至可以達(dá)到100μF。在某種意義上，它是取代鉭電解電容器的有力競爭者。