前幾期我們有講到mos管的優(yōu)點(diǎn)，mos管的應(yīng)用場(chǎng)景，但是小編發(fā)現(xiàn)，這些內(nèi)容對(duì)初學(xué)者來(lái)說(shuō)，還是比較艱深晦澀，所以本期內(nèi)容小編就只簡(jiǎn)述一下Mos管工作原理。

      先說(shuō)說(shuō) MOS管和場(chǎng)效應(yīng)管的關(guān)系吧？對(duì)新手來(lái)說(shuō)，這兩個(gè)名字經(jīng)常令人迷惑， MOS管究竟是不是場(chǎng)效應(yīng)管？實(shí)際上，從這幾種元件的包含關(guān)系來(lái)看， MOS管是場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有問(wèn)題，但反過(guò)來(lái)說(shuō)就錯(cuò)了，因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管并不只包括 MOS管，還包括其它元件。好了，回歸正題，mos管工作原理是什么？

       MOS管一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。這里我們以增強(qiáng)型MOS為例分析。

       MOS管由漏極、源極和柵極組成，還分為N溝和P溝兩種MOS管。首先我們將漏極接到電源正極，源極接到電源負(fù)極。對(duì)mos管而言，在柵極無(wú)電壓情況下，源極與漏極之間是兩個(gè)背對(duì)背二極管，而不會(huì)有電流通過(guò)，此時(shí)的mos管處于截止?fàn)顟B(tài)。

       如上圖所示，柵極加電壓時(shí)，當(dāng)電壓小于閾值 VGS (th)時(shí)，柵極與基片 P之間會(huì)因?yàn)殡妶?chǎng)的作用，使 P型半導(dǎo)體的源極和漏極上的負(fù)電子受到吸引而涌向柵極，而因?yàn)檠趸さ淖韪?，將電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的半導(dǎo)體中。

       如果柵極電壓越高，電子濃度就會(huì)越高。當(dāng)VGS (th)超過(guò)一個(gè)閾值，N型半導(dǎo)體將在源極和漏極之間形成一個(gè)電子通道。這段時(shí)間內(nèi)，由于漏極上加了正電壓，會(huì)形成漏極至源極的電流， MOS管導(dǎo)通。

       還可以把兩個(gè)N型半導(dǎo)體間的一條溝槽想象成一條河流，柵極電壓的建立相當(dāng)于在兩者之間架起一座橋梁，其大小取決于柵壓的大小。所以 MOS管才是控制電壓的晶體管。把 MOS管想像為一個(gè)閥門，它的柵極就象一個(gè)控制水流是否能通過(guò)的開(kāi)關(guān)。

        上面就是本期Mos管工作原理的全部?jī)?nèi)容。欲了解更多有關(guān)二三極管、mos管、電容等產(chǎn)品選型、規(guī)格書資料方面提供的，可做收藏點(diǎn)擊咨詢服務(wù)詳詢。